【新旧动能转换知识】第三代半导体产业（二）

　　从国际竞争角度看，美、日、欧等发达国家已将第三代半导体材料列入国家计划，并展开全面战略部署，欲抢占战略制高点。

　　如美国，2014年初，美国总统奥巴马宣布成立“下一代功率电子技术国家制造业创新中心”，期望通过加强第三代半导体技术的研发和产业化，使美国占领下一代功率电子产业这个正出现的规模最大、发展最快的新兴市场，并为美国创造出一大批高收入就业岗位。

　　日本也建立了“下一代功率半导体封装技术开发联盟”，由大阪大学牵头，协同罗姆、三菱电机、松下电器等18家从事SiC和GaN材料、器件以及应用技术开发及产业化的知名企业、大学和研究中心，共同开发适应SiC和GaN等下一代功率半导体特点的先进封装技术。

　　欧洲则启动了产学研项目“LASTPOWER”，由意法半导体公司牵头，协同来自意大利、德国等六个欧洲国家的私营企业、大学和公共研究中心，联合攻关SiC和GaN的关键技术。

　　2015年5月，中国建立第三代半导体材料及应用联合创新基地，抢占第三代半导体战略新高地，还与荷兰代尔夫特理工大学签订战略合作协议，标志着该基地引进国际优势创新资源、汇聚全球创新创业人才取得新进展。

　　未来，由半导体SiC材料制作成的功率器件将支撑起当今节能技术的发展趋向，成为节能设备最核心的部件，因此半导体SiC功率器件也被业界誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。

　　我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发，从2004年开始对第三代半导体领域的研究进行了部署，启动了一系列重大研究项目，2013年中国科技部在863计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及应用列为重要内容。

　　业界普遍看好SiC的市场发展前景，根据预测，至2022年其市场规模将达到40亿美元，年平均复合增长率可达到45％，届时将催生巨大市场应用空间。

　　虽然前景看好，但我国在该领域的发展的最大瓶颈就是原材料。我国SiC原材料的质量、制备问题亟待破解。目前我国对SiC晶圆的制备尚为空缺，大多数设备靠国外进口。

　　国内开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的还有原始创新问题。国内新材料领域的科研院所和相关生产企业大都急功近利，难以容忍长期“只投入，不产出”的现状。因此，以第三代半导体材料为代表的新材料原始创新举步维艰。

　　产业链下游的产出要以上游材料为基础，而事实上我国对基础的材料问题的关注度不够，一旦投入与支持的力度不够，相关人才便很难被吸引，人才队伍建设的问题也将逐渐成为发展瓶颈。

　　不过，在首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会上，中国科技部副部长曹健林曾表示，“今天的中国，在技术上已经走到了世界前列，更何况中国已经是世界上最大的经济体系，我们应该与全世界的同行共同来解决面临的问题，而且随着中国政府支持创新、鼓励创新力度的加强，我们更相信中国有能力解决这些问题，这不仅是为中国，也是为全世界科学技术工作作出巨大的推动。”

　　此外，与会专家也认为，与在第一代、第二代半导体材料及集成电路产业上的多年落后、很难追赶国际先进水平的形势不同，我国在第三代半导体领域的研究工作一直紧跟世界前沿，工程技术水平和国际先进水平差距不大，已经发展到了从跟踪模仿到并驾齐驱、进而可能在部分领域获得领先和比较优势，并且有机会实现超越。